低壓近場靜電紡絲技術(shù)通過減小紡絲距離降低紡絲電壓，既能減少能耗又能提高安全系數(shù)，而且有效地解決了傳統(tǒng)靜電紡絲過程的不穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了纖維的可控沉積，為滿足目前工業(yè)化生產(chǎn)中對大規(guī)模制備微納米纖維以及控制纖維形貌的需求提供可能，因此在納米直寫技術(shù)、納米纖維大面積有序沉積、納米纖維高精度沉積、微電子系統(tǒng)等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。

Sun 等在前期對近場電紡直寫有序納米纖維的研究基礎(chǔ)上，探索出近場電紡技術(shù)制備納米溝道的方法。首先利用近場靜電紡絲技術(shù)將納米纖維按預(yù)定軌道直接沉積在襯底上，之后在襯底上磁控濺射一層金膜作溝道材料，后將該襯底在lu仿中進(jìn)行超聲清洗，納米纖維及覆蓋在其上的金即被剝離，進(jìn)而形成一條納米溝道。實(shí)驗(yàn)表明，溝道的寬度和形狀受近場電紡工藝參數(shù)的影響，當(dāng)近場電壓從1.2kV 變化到2.5kV 時，相應(yīng)的溝道寬度從133nm 變化到13.54um。此外，除去直線型納米溝道，通過調(diào)節(jié)基底的移動規(guī)律還可制備網(wǎng)格狀及波浪狀納米溝道。

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